产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- G4S06515DT
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 15 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 645pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-263
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 38A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1206SC471KAT2A
EMK325BJ226MMHP
C3225X7R2J683K200AE
C4532X7R2J683K160KM
CGA5L3X8R1E225K160AE
C4532X7R2J683K160KA
C3216X7R1H225M160AE
C3225JB1C226M250AA
C1812C103K1RAC7800
C3225X7R2E104K200AE
C721U102MTWDBA7317
C1210C682KGRACAUTO
CGA5F1X7S3A102M085AE
EMK325B7226KMHP
CGA5L3X8R1H105M160AE
C4532X7R1H105K160KA
1825PC334KAT1A
12105C225K4Z2A
CGA5L1X7R1V106M160AC
12105C684KAT2A
