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- 数据列表
- 1N5820USE3
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 500 mV @ 3 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 100 µA @ 20 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- -
- 供应商器件封装 :
- B，SQ-MELF
- 反向恢复时间 (trr) :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SQ-MELF，B
- 工作温度 - 结 :
- -65°C ~ 125°C
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 3A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
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