产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MNS1N5811US
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 875 mV @ 4 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 5 µA @ 150 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 60pF @ 10V,1MHz
- 供应商器件封装 :
- B,SQ-MELF
- 反向恢复时间 (trr) :
- 30 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SQ-MELF,B
- 工作温度 - 结 :
- -65°C ~ 175°C
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
- 150 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 3A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
HHV1WSJT-52-62K
HHV1WSJT-52-680K
HHV1WSJT-52-68K
HHV1WSJT-52-6M2
HHV1WSJT-52-6M8
HHV1WSJT-52-750K
HHV1WSJT-52-75K
HHV1WSJT-52-7M5
HHV1WSJT-52-820K
HHV1WSJT-52-82K
HHV1WSJT-52-8M2
HHV1WSJT-52-910K
HHV1WSJT-52-91K
HHV1WSJT-52-9M1
HHV1WSJT-73-10M
HHV1WSJT-73-10MY
HHV1WSJT-73-110K
HHV1WSJT-73-110KY
HHV1WSJT-73-11M
HHV1WSJT-73-120K
