产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- WNSC2D10650XQ
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 310pF @ 1V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-220F
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-2 全封装，隔离接片
- 工作温度 - 结 :
- 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 10A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
W25Q256FVBIP TR
W25Q256FVCIP TR
W25Q256FVEIP TR
W25Q256FVFIP TR
W25Q256FVBIP
W25Q256FVCIP
W25Q256FVEIP
W25Q256FVFIP
MT29F4G08ABBEAM70M3WC1
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C
MT29F2G08ABAEAH4-E:E
MT29F4G16ABBDAHC:D
TC58CVG0S3HQAIE
TC58CYG0S3HQAIE
TC58CVG2S0HQAIE
W25Q128JVBIM
W25Q128JVBIM TR
W25Q128JVCIM
W25Q128JVCIM TR
W25Q128JVTIM
