产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BAS16HMT116
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.25 V @ 150 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 500 nA @ 80 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 2pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- SSD3
- 反向恢复时间 (trr) :
- 4 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 - 结 :
- 150°C（最大）
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 215mA
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RS73G1JRTTD2400F
RS73G1JRTTD22R6F
RS73G1JRTTD6651D
RS73G1JRTTD2211F
RS73F1JRTTD1211F
RS73G1JRTTD86R6F
RS73G1JRTTD1802F
RS73F1JRTTD6800D
RS73G1JRTTD84R5F
RS73G1JRTTD1691D
RS73G1JRTTD3003F
RS73G1JRTTD1202F
RS73F1JRTTD5111F
RS73F1JRTTD6490F
RS73F1JRTTD1241D
RS73F1JRTTD4991F
RS73F1JRTTD2403F
RS73G1JRTTD2213D
RS73F1JRTTD8872F
RS73G1JRTTD3922F
