产品概览
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- 数据列表
- 1N5809US
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 875 mV @ 4 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 5 µA @ 100 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 60pF @ 10V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- B，SQ-MELF
- 反向恢复时间 (trr) :
- 30 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SQ-MELF，B
- 工作温度 - 结 :
- -65°C ~ 175°C
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 100 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 3A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
