产品概览

产品型号
1N649-1
制造商
Microchip Technology
产品类别
单二极管
产品描述
DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

文档与媒体

数据列表
1N649-1

产品详情

不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
1 V @ 400 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
50 nA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 :
-
供应商器件封装 :
DO-35
反向恢复时间 (trr) :
-
安装类型 :
通孔
封装/外壳 :
DO-204AH,DO-35,轴向
工作温度 - 结 :
-65°C ~ 175°C
技术 :
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) :
600 V
电流 - 平均整流 (Io) :
400mA
速度 :
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

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