产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- BZD17C11P RTG
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.2 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 4 µA @ 8.2 V
- 供应商器件封装 :
- Sub SMA
- 功率 - 最大值 :
- 800 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 容差 :
- ±5.45%
- 封装/外壳 :
- DO-219AB
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) :
- 11 V
- 阻抗(最大值)(Zzt) :
- 7 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RSF3WSJT-73-470R
RSF3WSJT-73-47K
RSF3WSJT-73-47R
RSF3WSJT-73-4K3
RSF3WSJT-73-4K7
RSF3WSJT-73-510K
RSF3WSJT-73-510R
RSF3WSJT-73-51K
RSF3WSJT-73-51R
RSF3WSJT-73-560K
RSF3WSJT-73-560R
RSF3WSJT-73-56K
RSF3WSJT-73-56R
RSF3WSJT-73-5K1
RSF3WSJT-73-5K6
RSF3WSJT-73-620K
RSF3WSJT-73-620R
RSF3WSJT-73-62K
RSF3WSJT-73-62R
RSF3WSJT-73-680K
