产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 1N5520C/TR
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.1 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 1 µA @ 1 V
- 供应商器件封装 :
- DO-35(DO-204AH)
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 容差 :
- ±2%
- 封装/外壳 :
- DO-204AH,DO-35,轴向
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C(TJ)
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) :
- 3.9 V
- 阻抗(最大值)(Zzt) :
- 22 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI2325DS-T1-E3
SI2325DS-T1-GE3
SIR588DP-T1-RE3
SI2325DS-T1-BE3
SQJ464EP-T1_BE3
IPN60R600PFD7SATMA1
SISHA06DN-T1-GE3
ISZ24DP10LMATMA1
SQS462EN-T1_BE3
NVMFS6H852NLWFT1G
ISC0703NLSATMA1
NTMFS4C910NBT1G
SQ4850CEY-T1_GE3
PJD100P03_L2_00001
IPD038N06NF2SATMA1
NTTFS6H854NLTAG
NTMFS4C028NT1G
DMT8007LPSW-13
SQJ186EP-T1_GE3
MCG25P06Y-TP
