产品概览
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- 数据列表
- MMBD352LT1G
产品详情
- 不同 If、F 时电阻 :
- -
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 1pF @ 0V，1MHz
- 二极管类型 :
- 肖特基 - 1 对串联
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率耗散（最大值） :
- 225 mW
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 电压 - 峰值反向（最大值） :
- 7V
- 电流 - 最大值 :
- -
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