- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (115)
- Micron Technology (160)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 供电：
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- 存储容量：
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- 技术：
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- 时钟频率：
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- 存储器格式：
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- 存储器组织：
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- 写周期时间 - 字，页：
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406 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alliance Memory, Inc. | IC DRAM 128MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alliance Memory, Inc. | IC DRAM 256MBIT LV... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alliance Memory, Inc. | IC DRAM 128MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | IC DRAM 512MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | IC FLASH 128MBIT S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | SERIAL NOR SPI 64M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | IC FLASH 128MBIT S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | SERIAL NOR SPI 64M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alliance Memory, Inc. | IC DRAM 1GBIT PAR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alliance Memory, Inc. | IC DRAM 256MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 512M, 1.8V, Mobile DDR, ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | IC DRAM 1GBIT PAR... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 512M, 1.8V, Mobile DDR, ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | IC DRAM 512MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Micron Technology | IC DRAM 512MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | IC SRAM 4.5MBIT PA... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
