- 品牌：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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- 不同 Vce 时输入电容 (Cies)：
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- 输入：
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- 已选条件：
23 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | SOT-227 - HIGH SIDE... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | SOT-227 - LOW SIDE C... |
1 | 160 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 225A 7... |
1 | 4 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
1 | 24 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 14 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 150A 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER EASY AG... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER EASY |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | IGBT 600V 100A 430W IS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 150A 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 225A 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 580A 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 580A 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 900A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 900A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
