- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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- 不同 Vce 时输入电容 (Cies)：
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84 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 300A 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 50A 35... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 150A 8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | LOW POWER ECONO A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 210A 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 430A 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 103A 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 290A 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 550A 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT MOD 1200V 150A 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | IGBT MOD 600V 100A 30... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 88A 338... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 600V 88A 338... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 200A I... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 200A I... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 200A I... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 300A I... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 280A I... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay General Semiconductor – Diodes Division | IGBT MOD 1200V 360A I... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
