- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
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- 开关能量：
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- 已选条件：
15 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 448 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 440 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 450 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 90... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRENCH FLD 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | IGBT TRNCH FIELD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
