- 品牌：
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- ON Semiconductor (4)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 开关能量：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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- 反向恢复时间 (trr)：
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14 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A TO247-3 |
1 | 237 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 235W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 110W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 24A TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 19A 52W TO2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 113W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A 156W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
