- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 配置：
-
- 功率 - 最大值：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
466 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 2.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 1.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SMALL SIGNAL+P-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 30V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2 N-CH 20V 2.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 2.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | DIFFERENTIATED M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 1200V A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 7.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IC MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | IC MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 |
