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- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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155 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 1000V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 33... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 25... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 17... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 14... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 500V 50... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 20... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 8.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 4CHIP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 4CHIP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET 2N-CH 4CHIP... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 95... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | MOSFET 2N-CH 600V 36... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
