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分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
FET、MOSFET 阵列
品牌:
Microchip Technology
(12)
Microsemi
(10)
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收起
工作温度:
-
(1)
-40°C ~ 150°C(TJ)
(21)
配置:
2 N 沟道(双路降压斩波器)
(4)
2 N-通道(双)
(5)
2 个 N 通道(半桥)
(6)
3 N 沟道(相角 + 升压斩波电路)
(4)
4 N 沟道(半桥)
(3)
功率 - 最大值:
208W
(2)
250W
(17)
390W
(1)
416W
(1)
462W
(1)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
20A
(2)
36A
(2)
39A
(6)
40A
(1)
49A
(9)
72A
(1)
95A
(1)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
132 毫欧 @ 33A,10V
(1)
24 毫欧 @ 47.5A,10V
(1)
276 毫欧 @ 17A,10V
(2)
35 毫欧 @ 72A,10V
(1)
45 毫欧 @ 24.5A,10V
(9)
70 毫欧 @ 39A,10V
(6)
83 毫欧 @ 24.5A,10V
(2)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
3.9V @ 2.7mA
(6)
3.9V @ 3mA
(9)
3.9V @ 5.4mA
(1)
3.9V @ 5mA
(1)
5V @ 1mA
(2)
5V @ 2.5mA
(1)
5V @ 3mA
(2)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
150nC @ 10V
(9)
165nC @ 10V
(2)
250nC @ 10V
(2)
259nC @ 10V
(6)
300nC @ 10V
(1)
330nC @ 10V
(1)
518nC @ 10V
(1)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
10552pF @ 25V
(1)
14000pF @ 25V
(1)
14400pF @ 25V
(1)
5316pF @ 25V
(2)
7000pF @ 25V
(5)
700pF @ 25V
(1)
7200pF @ 25V
(11)
FET 功能:
-
(12)
超级结
(9)
逻辑电平门
(1)
已选条件:
FET、MOSFET 阵列
漏源电压(Vdss) : 600V
封装/外壳 : SP1
22 条记录
图片
型号
品牌
描述
起订量
库存
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APTC60DSKM45CT1G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 49...
1
2,000
加入询价
APTC60DSKM70CT1G
Microsemi
MOSFET 2N-CH 600V 39...
1
2,000
加入询价
APTC60DSKM45CT1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
询价
APTC60DSKM70CT1G
Microsemi
-
库存 : 2,000
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