- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率 - 最大值：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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228 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 0.3... |
1 | 112,045 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.8... |
1 | 139,546 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 3.6... |
1 | 160,225 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 2.4... |
1 | 118,830 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 6.5... |
1 | 23,936 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 5.4... |
1 | 6,084 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A... |
1 | 39,002 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A... |
1 | 14,714 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 20A... |
1 | 9,988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 8-SO... |
1 | 26,075 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 80V 3.6... |
1 | 8,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 8A... |
1 | 47,500 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSO... |
1 | 25,963 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET_)40V 60V) |
1 | 9,089 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 0.9... |
1 | 35,071 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5... |
1 | 6,659 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A... |
1 | 15,046 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.1... |
1 | 20,682 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 40V 20... |
1 | 28,954 | 加入询价 |
