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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
1,466 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | DESC: MOSFET N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | T6 40V SG NCH SO8FL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 300V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | TRENCHFET 60V N-CH... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
STMicroelectronics | PTD HIGH VOLTAGE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | T6 60V LL PQFN8*8 EX... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | PLANAR >= 100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IXFP14N55X2M |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IXFP14N55X2 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
