- 品牌：
-
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
1,466 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SparkFun | P-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Micro Commercial Components (MCC) | N-CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 80A... |
1 | 1,990 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | BUK7J1R0-40H/SOT1023/... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Nexperia | BUK9J0R9-40H/SOT1023/... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | LOW POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 4LF... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | T6-40V N 0.92 MOHMS S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 13.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MV POWER MOS |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET N-CH 1200V 1A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 |
