- 品牌：
-
- ON Semiconductor (6)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 150 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 90A... |
1 | 120 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 | 990 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SICFET N-CH 650V 45A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | NTBL082N65S3HF |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SUPERFER3 FRFET A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | SUPERFER3 FRFET A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 13A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
