- 品牌：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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545 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 47,589 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 9,007 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 7,764 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 9,700 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,300 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 5,366 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 3.6... |
1 | 4,049 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 5,599 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 6.5... |
1 | 3,645 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 13 A GAN FET |
1 | 3,014 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 3,040 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,954 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 27A... |
1 | 5,519 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 13,017 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 25A... |
1 | 126 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 650V 36A... |
1 | 4,450 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3A... |
1 | 12,205 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 2.3... |
1 | 6,250 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 9,173 | 加入询价 |
