- 品牌：
-
- ON Semiconductor (1)
- Vishay / Siliconix (20)
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3... |
1 | 8,783 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2... |
1 | 9,093 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A... |
1 | 9,407 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2... |
1 | 1,249 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 406 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7... |
1 | 975 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 500V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 450V 5.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 1.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 900V 1.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.2... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
