- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- Littelfuse (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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62 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Littelfuse | MOSFET N-CH 2500V 20... |
1 | 189 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 95A... |
1 | 2,988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 485 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V, 9A,RD<0.28@10V,V... |
1 | 735 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 900V 5.1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N200V,RD(MAX)<250M@10V... |
1 | 80 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 42A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
