- 品牌：
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- ON Semiconductor (2)
- Littelfuse (1)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 400V 1.8... |
1 | 4,858 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 19,988 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8... |
1 | 480 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 483 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 16A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | CONSUMER |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 9A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 800V 6.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 3000V 40... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 400V 1.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 200V 2A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.7A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
