- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (6)
- ON Semiconductor (1)
- STMicroelectronics (19)
- PANJIT (1)
- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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55 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 600V 5.4... |
1 | 11,020 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 7,859 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 1,734 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.6... |
1 | 940 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 5.1... |
1 | 968 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 5.8... |
1 | 1,246 | 加入询价 | |
|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 600V 7A... |
1 | 1,989 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 2,984 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 1,093 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 852 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 283 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1050V 1.... |
1 | 565 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 212 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 983 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1050V 1.... |
1 | 1,172 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1050V 1.... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 6.8... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
