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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
-
- 已选条件：
552 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | N60V, 170A, RD<2.2M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 50A,RD<17M@10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 70A,RD<7.5M@10V,... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-60A,RD(MAX)<20M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | P-30V,-85A,RD(MAX)<5M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Goford Semiconductor | P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 28V 85A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 125A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.3A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 100V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS 6... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET COOL MOS S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET MINIPACK-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Littelfuse | MOSFET MINIPACK-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 1000V 1.... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
