- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (2)
- Nexperia (7)
- ON Semiconductor (89)
- STMicroelectronics (10)
- NXP Semiconductors (19)
- Littelfuse (27)
- Microsemi (2)
- ROHM Semiconductor (11)
- Wolfspeed (2)
- YANGJIE (4)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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284 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 55,692 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | TRANS SJT 1700V D3P... |
1 | 362 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 665 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWE... |
1 | 178 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A... |
1 | 2,961 | 加入询价 | |
|
|
ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 1,635 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
1 | 1,931 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,578 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V PO... |
1 | 2,621 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V, -20A,RD<18M@-10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 45A ... |
1 | 81 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V PO... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 700V D3... |
1 | 9 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 25A |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V SO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V TD... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
