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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- FET 功能：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
765 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Littelfuse | IXFP16N85XM |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IXFP36N55X2 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IXTA30N65X2 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | IXFA36N55X2 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET 54A 650V X3 T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Littelfuse | MOSFET 70A 650V X3 T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Microchip Technology | MOSFET N-CH 1200V 8A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Littelfuse | DISC MSFT NCHTRE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | - |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET P-CH 600V 68A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-4A,RD(MAX)<110M... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | P-CH MOSFET 30V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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YANGJIE | N-CH MOSFET 30V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-20V,-16A,RD(MAX)<17M... |
1 | 3,000 | 加入询价 |
