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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- FET 功能：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
765 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N/P-CH 30V D... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 40-V (D-S... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 60V TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 1TO251-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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Infineon Technologies | MOSFET SOT223-4 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-5 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMPB100ENEA/SOT1220... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | PMPB16XNEA/SOT1220/... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microsemi | P CHANNEL MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
