- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (36)
- Infineon Technologies (188)
- Intersil（瑞萨电子公司） (100)
- Microchip Technology (45)
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- ON Semiconductor (191)
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- YANGJIE (4)
- 安装类型：
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- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
1,208 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 800M... |
1 | 453,863 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 250V 360... |
1 | 3,939 | 加入询价 | |
|
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Littelfuse | MOSFET N-CH 350V 5M... |
1 | 232,004 | 加入询价 | |
|
|
EPC | GAN FET 40V .002OHM ... |
1 | 9,298 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN BUMPED... |
1 | 17,509 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 150V .003O... |
1 | 8,262 | 加入询价 | |
|
|
EPC | TRANS GAN 200V .005O... |
1 | 4,532 | 加入询价 | |
|
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 1500V 4A... |
1 | 4,427 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 20V 100M... |
1 | 55,692 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 30V 4A ... |
1 | 56,140 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 30V 200M... |
1 | 7,115 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 800V SO... |
1 | 3,451 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET P-CH 60V 200M... |
1 | 17,403 | 加入询价 | |
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Torex Semiconductor Ltd. | MOSFET P-CH 20V 2.5A... |
1 | 7,358 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 400V 120... |
1 | 11,537 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET N-CH 450V 136... |
1 | 3,527 | 加入询价 | |
|
|
Microchip Technology | MOSFET N-CH 350V 120... |
1 | 1,449 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-3 G3R S... |
1 | 1,200 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | 750V 60M TO-247-4 G3R S... |
1 | 3,659 | 加入询价 | |
|
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Littelfuse | MOSFET N-CH 415V 5M... |
1 | 4,063 | 加入询价 |
