- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (32)
- Infineon Technologies (182)
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
-
- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- FET 功能：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
1,049 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Littelfuse | DISCRETE MOSFET ... |
1 | 300 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A... |
1 | 1,635 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH <= 40V PG-VS... |
1 | 8,300 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 4A ... |
1 | 1,931 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,578 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 9.5A... |
1 | 1,169 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V PO... |
1 | 2,621 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 250A... |
1 | 1,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 237 | 加入询价 | |
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EPC | TRANS GAN 100V .010O... |
1 | 2,870 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | MOSFET SIC 1200 V 36... |
1 | 210 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 72A... |
1 | 391 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 72A... |
1 | 433 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 247 | 加入询价 | |
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SMC Diode Solutions | MOSFET SILICON C... |
1 | 188 | 加入询价 | |
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EPC Space | GAN FET HEMT 100V 5... |
1 | 150 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-30V, -20A,RD<18M@-10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V SO... |
1 | 2,363 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 990 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 1,000 | 加入询价 |
