- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (11)
- Infineon Technologies (450)
- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (180)
- STMicroelectronics (309)
- Littelfuse (96)
- Microsemi (3)
- PANJIT (32)
- ROHM Semiconductor (75)
- Taiwan Semiconductor (10)
- Transphorm (28)
- UMW (4)
- Vishay / Siliconix (71)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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1,428 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 15A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V/ 390MOHM / 10A/ EA... |
1 | 1,985 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
|
|
PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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ROHM Semiconductor | 650V 9A TO-220FM, HIG... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
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PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 1,998 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 184 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 650V 11A TO-220FM, HIG... |
1 | 3,994 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 972 | 加入询价 | |
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|
ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 1,902 | 加入询价 | |
|
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PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | N-CHANNEL 650V |
1 | 387 | 加入询价 | |
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PANJIT | 650V SUPER JUNCITO... |
1 | 6,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | N-CHANNEL 650 V, 128 ... |
1 | 496 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 140 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 489 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 547 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 1,928 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 20A... |
1 | 279 | 加入询价 |
