- 品牌：
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- Diodes Incorporated (11)
- Infineon Technologies (450)
- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (180)
- STMicroelectronics (309)
- Littelfuse (96)
- Microsemi (3)
- PANJIT (32)
- ROHM Semiconductor (75)
- Taiwan Semiconductor (10)
- Transphorm (28)
- UMW (4)
- Vishay / Siliconix (71)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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1,428 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 570 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A... |
1 | 511 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 80A... |
1 | 177 | 加入询价 | |
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Nexperia | GANFET N-CH 650V 34.... |
1 | 520 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 69A... |
1 | 599 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 36A... |
1 | 138 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.... |
1 | 221 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 63A... |
1 | 1,352 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 75A... |
1 | 449 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 143... |
1 | 240 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 2,313 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,970 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 10,528 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,820 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | DTMOS VI TOLL PD=... |
1 | 3,966 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 4,945 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 8.5... |
1 | 928 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 16A... |
1 | 276 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A... |
1 | 500 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 7A... |
1 | 3,916 | 加入询价 |
