- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 27A... |
1 | 5,519 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 15,892 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 38A... |
1 | 1,221 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 858 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 29A... |
1 | 925 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 437 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 992 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 14A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | 650V MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | 650V MOSFET |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 8A T... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
