- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 800V TDSON-... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH PG-TO220-3 |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 230M... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V DIREC... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH >=100V |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 8H... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
