- 品牌：
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- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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243 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,522 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4A... |
1 | 1,110 | 加入询价 | |
|
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,395 | 加入询价 | |
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Central Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,178 | 加入询价 | |
|
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ROHM Semiconductor | HIGH-SPEED SWITC... |
1 | 2,470 | 加入询价 | |
|
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 2,195 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 4A... |
1 | 1,964 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 4,895 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 1,421 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 2,451 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 1,093 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 1000V 4A... |
1 | 336 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V... |
1 | 8,860 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-100V,-4A,RD(MAX)<200... |
1 | 1,930 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 950V 4A... |
1 | 2,840 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 15,164 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 1000V 4A... |
1 | 50 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 951 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4A... |
1 | 904 | 加入询价 |
