- 品牌：
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- ON Semiconductor (15)
- UnitedSiC (2)
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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49 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | COOLMOS CFD7 SUPE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | COOLMOS CFD7 SUPE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | COOLMOS CFD7 SUPE... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | POWER MOSFET, N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 10A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 21.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 38A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW |
1 | 2,000 | 加入询价 |
