- 品牌：
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- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (59)
- STMicroelectronics (65)
- Littelfuse (24)
- Microsemi (1)
- ROHM Semiconductor (24)
- Transphorm (11)
- UnitedSiC (5)
- Vishay / Siliconix (19)
- Wolfspeed (6)
- 工作温度：
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- 供应商器件封装：
-
- 技术：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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321 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 30A... |
1 | 645 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 6,812 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 93A... |
1 | 2,199 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 118... |
1 | 754 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 5,136 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 21A... |
1 | 3,059 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 1,730 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A... |
1 | 1,148 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 47A... |
1 | 3,290 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 910 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 60A... |
1 | 335 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 95 A GAN FET |
1 | 475 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 650V 70A... |
1 | 578 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 650V 57A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Nexperia | GAN041-650WSB/SOT429/... |
1 | 137 | 加入询价 |
