- 品牌：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 技术：
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- FET 类型：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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993 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 9,007 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.... |
1 | 5,136 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 25A... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A... |
1 | 1,148 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 1,519 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 47A... |
1 | 3,290 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 46.... |
1 | 910 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 60A... |
1 | 335 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 120... |
1 | 244 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET 650V NCH SI... |
1 | 721 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 95 A GAN FET |
1 | 475 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 145... |
1 | 1,747 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 3.6... |
1 | 4,049 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 5,599 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,418 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 6.5... |
1 | 3,645 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 13 A GAN FET |
1 | 3,014 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 3,040 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 650V 24A... |
1 | 800 | 加入询价 |
