25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):
功率耗散(最大值):
图片 型号 品牌 描述 起订量 库存 操作
UF3C065080B3 UnitedSiC
MOSFET N-CH 650V 25A...
1 15,892 加入询价
IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8H...
1 2,000 加入询价
IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8H...
1 2,000 加入询价
IPT65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8H...
1 2,000 加入询价
IRFP22N60C3PBF Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A...
1 2,000 加入询价
FCPF11N65 ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 11A...
1 2,000 加入询价
STWA58N65DM2AG STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 48A...
1 2,000 加入询价
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