- 品牌：
-
- Diodes Incorporated (17)
- Infineon Technologies (131)
- Intersil（瑞萨电子公司） (9)
- Nexperia (12)
- ON Semiconductor (104)
- Panasonic (2)
- STMicroelectronics (20)
- EPC (10)
- EPC Space (4)
- Littelfuse (51)
- Microsemi (19)
- PANJIT (1)
- ROHM Semiconductor (18)
- Vishay / Siliconix (183)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- FET 类型：
-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
613 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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EPC | TRANS GAN 200V DIE... |
1 | 51,931 | 加入询价 | |
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EPC | GANFET N-CH 200V 5A... |
1 | 27,140 | 加入询价 | |
|
|
EPC | GANFET N-CH 200V 8.5... |
1 | 112,088 | 加入询价 | |
|
|
EPC | GAN TRANS 200V 8MOH... |
1 | 27,017 | 加入询价 | |
|
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EPC | GANFET N-CH 200V 22A... |
1 | 13,204 | 加入询价 | |
|
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EPC | GANFET N-CH 200V 48A... |
1 | 21,201 | 加入询价 | |
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|
Nexperia | MOSFET N-CH 200V 400... |
1 | 229,219 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 670... |
1 | 1,134 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 5A... |
1 | 24,158 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 200V 7.2... |
1 | 14,140 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A... |
1 | 17,257 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | - |
1 | 50,893 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 11.... |
1 | 4,620 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A... |
1 | 39,054 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 34A... |
1 | 14,633 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 62A... |
1 | 6,575 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET P-CH 200V 26A... |
1 | 3,051 | 加入询价 | |
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Littelfuse | MOSFET N-CH 200V 36A... |
1 | 30,018 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
1 | 4,673 | 加入询价 | |
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 88A... |
1 | 6,682 | 加入询价 |
