- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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48 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<45M@-10V... |
1 | 4,450 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 3A,RD<80M@10V,VT... |
1 | 2,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<8.4M@10V... |
1 | 5,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 15,761 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-18A,RD(MAX)<70M... |
1 | 4,960 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-5A,RD(MAX)<75M... |
1 | 2,475 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,6A... |
1 | 3,920 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 2,417 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<2.7M@10V... |
1 | 9,935 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-40A,RD(MAX)<30M... |
1 | 4,937 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 12,478 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-23A,RD(MAX)<70M... |
1 | 650 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 90A,RD<12M@10V,V... |
1 | 800 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 772 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 110A,RD<7M@10V,V... |
1 | 797 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,RD(MAX)<18M@-10V... |
1 | 181 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-195A,RD(MAX)<7.... |
1 | 34 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,170A, RD(MA... |
1 | 152 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 170A,RD<2.5M@10V,... |
1 | 77 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<45M@10V,VT... |
1 | 6,000 | 加入询价 |
