- 品牌：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 3,478 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A... |
1 | 4,652 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 479 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 887 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 945 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 916 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A... |
1 | 143 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 43 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 7... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 407 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 3... |
1 | 120 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 850 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | TRENCH 40<-<100V |
1 | 10 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 1 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 150A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 120A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | UMOS10 TO-220AB 80V 5... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
