- 品牌：
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- ON Semiconductor (15)
- STMicroelectronics (19)
- Littelfuse (9)
- Vishay / Siliconix (38)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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- 功率耗散（最大值）：
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123 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A ... |
1 | 2,880 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 6A ... |
1 | 2,998 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 1,167 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 1,098 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 4,688 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N20V, 6A,RD<27M@4.5V,V... |
1 | 3,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 8,379 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P60V,RD(MAX)<96M@-10V... |
1 | 7,980 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N30V,RD(MAX)<22M@10V,... |
1 | 2,802 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, P-CH, 60V,6A... |
1 | 3,920 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL... |
1 | 1,359 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 938 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6A ... |
1 | 568 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 969 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A... |
1 | 63 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 6A... |
1 | 551 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET P-CH 20V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60V 6A ... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 6A... |
1 | 20 | 加入询价 |
