- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A... |
1 | 495 | 加入询价 | |
|
|
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 650V DTMOS VI TO-220... |
1 | 184 | 加入询价 | |
|
|
Littelfuse | MOSFET N-CH 650V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
