- 品牌：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 180 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<10.5M@10... |
1 | 220 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V, 70A,RD<8M@10V,V... |
1 | 70 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N100V,RD(MAX)<25M@10V... |
1 | 212 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 100V 22.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N CH 100V 6A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N CH 100V 5A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 22A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
