- 品牌：
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- 工作温度：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 60V 7A/... |
1 | 1,718 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N-CH, 60V,170A, RD(MA... |
1 | 152 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 170A,RD<2.5M@10V,... |
1 | 77 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 80A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | X35 PB-F POWER MOS... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | 60V, 111A, SINGLE N-C... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N-CH 60V 9A/... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | PB-F POWER MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,25A,RD<70M@-10V,V... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<9M@10V,R... |
1 | 65 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V,RD(MAX)<6.4M@10V... |
1 | 96 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 50A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 20A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 18A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
