- 品牌：
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- Intersil（瑞萨电子公司） (1)
- ON Semiconductor (4)
- STMicroelectronics (98)
- FET 类型：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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139 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 32A... |
1 | 57 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 5.5... |
1 | 86 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 11A... |
1 | 991 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12A... |
1 | 29 | 加入询价 | |
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Intersil（瑞萨电子公司） | MOSFET N-CH 40V 100A... |
1 | 999 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.5... |
1 | 964 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7... |
1 | 338 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A... |
1 | 973 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 400V 5.6... |
1 | 742 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 11A... |
1 | 834 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 120V 60A... |
1 | 14 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 148... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 80V 100A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1500V 4A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
1 | 6 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N-CH 60V 40A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 52A... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | MOSFET N CH 100V 90A... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
